HISTORIA
HISTORIA DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES
Los primeros modelos y teorías de los materiales semiconductores se remontan al trabajo de Shockley presentando un modelo semiconductor de Germanio, en el que los materiales se suponían estaban formados por regiones de determinada resistividad y movilidad electrónica separadas entre sí por fronteras de mayor resistividad.
Posteriormente fue un modelo propuesto por Tylor , Odell y Fan en la que comentan por primera vez la existencia de cargas atrapadas en la barreras electrostáticas, similares a las barreas de Schottky, tales barreras impedían el transporte de carga elevando la resistividad del material y por lo tanto no era un buen conductor.
Los primeros modelos y teorías de los materiales semiconductores se remontan al trabajo de Shockley presentando un modelo semiconductor de Germanio, en el que los materiales se suponían estaban formados por regiones de determinada resistividad y movilidad electrónica separadas entre sí por fronteras de mayor resistividad.
Posteriormente fue un modelo propuesto por Tylor , Odell y Fan en la que comentan por primera vez la existencia de cargas atrapadas en la barreras electrostáticas, similares a las barreas de Schottky, tales barreras impedían el transporte de carga elevando la resistividad del material y por lo tanto no era un buen conductor.
Posteriormente el estudio de los materiales semiconductores se mantuvo estancada, hasta que en los años setenta se retomó la discusión con temas muy específicos en materiales muy concretos. Tres de estos materiales fueron los impulsores principales de una nueva generación sobre la estructura electrónica de transportes de carga en materiales semiconductores: silicio, óxido de Zinc, y titanato de bario.
HISTORIA DEL SILICIO
El silicio fue identificado por primera vez por Antoine Lavoisier en 1787, aunque posteriormente fue confundido con un compuesto por Humphry Davy en 1800.
En 1811 Gay-Lussac, y Louis Thenard probablemente, preparó silicio amorfo impuro calentando potasio con tetrafluoruro de silicio.
En 1824 Berzelius preparó silicio amorfo empleando un método similar al de Gay-Lussac, purificando después el producto mediante lavados sucesivos hasta aislar el elemento.
En 1811 Gay-Lussac, y Louis Thenard probablemente, preparó silicio amorfo impuro calentando potasio con tetrafluoruro de silicio.
En 1824 Berzelius preparó silicio amorfo empleando un método similar al de Gay-Lussac, purificando después el producto mediante lavados sucesivos hasta aislar el elemento.
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